特許

J-GLOBAL ID：200903084203549282

多層レジスト型感光材料及びそれを用いたレジストパターン形成方法

発明者： 菅田 祥樹
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (1件)： 阿形 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-234689
公開番号（公開出願番号）：特開2001-056550
出願日： 1999年08月20日
公開日（公表日）： 2001年02月27日
要約：

【要約】【課題】 多層レジスト法により200nm以下の微細なレジストパターンを形成させる際に、エッジラフネスの少ないレジストラインを与える多層レジスト型感光材料及び多層レジスト法を提供する。【解決手段】 基板上に酸素プラズマにより乾式現像可能な有機層を設け、その上にネガ型ホトレジスト層を設けた多層レジスト型感光材料において、前記ネガ型ホトレジスト層が(A)重量平均分子量10000〜50000をもつアルカリ可溶性樹脂、(B)放射線の照射により酸を発生する化合物及び(C)ヒドロキシアルキル基及び低級アルコキシアルキル基から選ばれる少なくとも1個の架橋形成基をもつ架橋剤を含有する感光材料、及びこの感光材料を用い、そのネガ型ホトレジスト層に選択的な露光処理、続いて加熱処理を行ったのち、シリル化処理を施し、次いで未露光部に酸素プラズマ耐性を付与し、次いでこの未露光部をマスクとし、前記ネガ型ホトレジスト層の露光部と、それに対応する有機層を酸素プラズマにより乾式現像してレジストパターンを形成する方法である。

請求項（抜粋）：

基板上に酸素プラズマにより乾式現像可能な有機層を設け、その上にネガ型ホトレジスト層を設けた多層レジスト型感光材料において、前記ネガ型ホトレジスト層が(A)重量平均分子量10000〜50000をもつアルカリ可溶性樹脂、(B)放射線の照射により酸を発生する化合物及び(C)ヒドロキシアルキル基及び低級アルコキシアルキル基から選ばれる少なくとも1個の架橋形成基をもつ架橋剤を含有することを特徴とする感光材料。

IPC (5件)：

G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/36 ,  G03F 7/38 512 ,  H01L 21/027

FI (7件)：

G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/36 ,  G03F 7/38 512 ,  H01L 21/30 568 ,  H01L 21/30 569 H ,  H01L 21/30 573

Fターム (41件)：

2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB15 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025CB17 ,  2H025CB45 ,  2H025CB52 ,  2H025CB55 ,  2H025CC17 ,  2H025CC20 ,  2H025DA13 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA20 ,  2H096AA25 ,  2H096AA26 ,  2H096AA27 ,  2H096BA09 ,  2H096BA11 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096EA06 ,  2H096EA07 ,  2H096FA01 ,  2H096GA37 ,  2H096KA03 ,  2H096KA05 ,  2H096KA15 ,  2H096KA16 ,  5F046CA04 ,  5F046CA08 ,  5F046LB01 ,  5F046NA04