特許
J-GLOBAL ID：200903084211892824

誘電体磁器およびコンデンサ

発明者：
寺師 吉健

寺師 吉健 について

, 
山口 勝義

山口 勝義 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-251560
公開番号（公開出願番号）：特開2009-084063
出願日： 2007年09月27日
公開日（公表日）： 2009年04月23日
要約：
【課題】 高誘電率かつ電界-誘電分極特性におけるヒステリシスの小さい誘電体磁器と、それを用いたコンデンサを提供する。【解決手段】 チタン酸バリウムを構成するバリウム1モルに対して、マグネシウムをMgO換算で0.01〜0.06モルの割合で、イットリウムをYO3/2換算で0〜0.03モルの割合で、マンガンをMnO換算で0.005〜0.03モルの割合で、イッテルビウムをYbO3/2換算で0.045〜0.2モルの割合で含有するとともに、Cukα線を用いたときの誘電体磁器のX線回折チャートにおいて、2θが44.7〜45.5°の範囲に現れる回折ピークの25°Cにおける半値幅(d25)と150°Cにおける半値幅(d150)との差(d25-d150)が0.05以下である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
チタン酸バリウムを主成分とする結晶粒子と、該結晶粒子間に形成された粒界相とからなる誘電体磁器であって、前記チタン酸バリウムを構成するバリウム1モルに対して、マグネシウムをMgO換算で0.01〜0.06モルの割合で、イットリウムをYO3/2換算で0〜0.03モルの割合で、マンガンをMnO換算で0.005〜0.03モルの割合で、イッテルビウムをYbO3/2換算で0.045〜0.2モルの割合で含有するとともに、Cukα線を用いたときの前記誘電体磁器のX線回折チャートにおいて、2θが44.7〜45.5°の範囲に現れる回折ピークの25°Cにおける半値幅(d25)と150°Cにおける半値幅(d150)との差(d25-d150)が0.05以下であることを特徴とする誘電体磁器。
IPC (3件)：
C04B 35/46 ,  H01G 4/12 ,  H01B 3/12
FI (3件)：
C04B35/46 D ,  H01G4/12 358 ,  H01B3/12 303
Fターム (32件)：
4G031AA03 ,  4G031AA06 ,  4G031AA07 ,  4G031AA08 ,  4G031AA11 ,  4G031AA19 ,  4G031AA28 ,  4G031AA30 ,  4G031BA09 ,  4G031CA04 ,  4G031CA05 ,  4G031GA03 ,  4G031GA10 ,  4G031GA11 ,  5E001AB03 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AH01 ,  5E001AH05 ,  5E001AH09 ,  5E001AJ02 ,  5G303AA01 ,  5G303AB06 ,  5G303AB20 ,  5G303BA12 ,  5G303CA01 ,  5G303CB03 ,  5G303CB17 ,  5G303CB18 ,  5G303CB35 ,  5G303CB40 ,  5G303CB43
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (4件)
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