半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-286419
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100651
出願日： 2000年09月21日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：

【要約】【課題】材料及び製造コストの削減及び薄型化を可能にした半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の半導体装置100は、フィルム基材の一方の面に配線層2a、配線層2a及びフィルム基材1の所定位置に貫通孔3が形成されたフィルムキャリア10を有し、フィルムキャリア10の他方の面から接着層11を介して半導体素子31上のバンプ33を貫通孔3に挿入し、接着層11aにて固定されており、接合部配線層2bと先端部が研磨されたバンプ33aとが導電層12にて電気的に接続され、フィルムキャリア10の一方の面の配線層2aの所定位置に半田ボール71が形成された構造となっている。

請求項（抜粋）：

フィルム基材に配線層が形成されたフィルムキャリアに半導体素子が実装された半導体装置において、前記フィルムキャリアの一方の面に配線層が、前記配線層の所定位置に前記フィルム基材と前記配線層を貫通する貫通孔が設けられており、前記フィルムキャリアの他方の面から半導体素子上のバンプを前記貫通孔に挿入し、前記バンプとフィルムキャリアの前記配線層を電気的に接続してなる半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 , H01L 21/60 , H01L 23/12 501

FI (3件)：

H01L 21/60 311 R , H01L 21/60 311 W , H01L 23/12 501 F

Fターム (4件)：

5F044MM03 , 5F044MM06 , 5F044NN02 , 5F044NN03

前のページに戻る