特許

J-GLOBAL ID：200903084218014598

マイクロ波プラズマ処理装置

発明者： 片山 克生 ,  小町 恭一
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-262091
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112138
出願日： 1992年09月30日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】【構成】 マイクロ波発振器23と、マイクロ波を伝送する導波管22と、導波管22に接続された誘電体線路21と、誘電体線路21に対向配置されたマイクロ波導入窓14を有する反応器11と、反応器11内に設けられた試料保持部15aとを備えたマイクロ波プラズマ処理装置において、試料保持部15aに高周波電界または直流電界を印加する手段18を備え、試料保持部15aの周辺部にアースされた電極手段31が配設されているマイクロ波プラズマ処理装置。【効果】 マイクロ波によって反応室13内で生成されたプラズマのプラズマポテンシャルが安定し、前記試料S表面において安定したバイアス電圧を発生させることができ、プラズマ中のイオンエネルギーの適正化を図ることができ、安定したプラズマ処理を行うことができる。

請求項（抜粋）：

マイクロ波発振器と、マイクロ波を伝送する導波管と、該導波管に接続された誘電体線路と、該誘電体線路に対向配置されたマイクロ波導入窓を有する反応器と、該反応器内に設けられた試料保持部とを備えたマイクロ波プラズマ処理装置において、前記試料保持部に高周波電界または直流電界を印加する手段を備え、前記試料保持部の周辺部にアースされた電極手段が配設されていることを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-214874
  
• 特開平4-000390
  
• 特開昭62-065421
  
• 特開昭62-249420