特許
J-GLOBAL ID：200903084221061360
半導体部品におけるバンプ電極の形成方法及びバンプ電極付き半導体部品
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石井 暁夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-267627
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120230
出願日： 1992年10月06日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：
【要約】【目的】 半導体部品1における電極パッド2に対して、金、銀又は銅製のバンプ電極12を、前記半導体部品1にヒロックを成長することなく、低コストで形成する。【構成】 半導体部品1における電極パッド2に対して、金、銀又は銅製の金属ボール6の表面に予め半田7を付着して成るボール体8を供給したのち、前記半田7の溶融温度で加熱・焼成する。
請求項（抜粋）：
半導体部品の表面に形成した電極パッドに、金、銀又は銅製の金属ボールの表面に予め半田を付着して成るボール体を供給し、次いで、前記半田における溶融温度で加熱・焼成することを特徴とする半導体部品におけるバンプ電極の形成方法。
FI (2件)：
H01L 21/92 F
, H01L 21/92 C
