特許

J-GLOBAL ID：200903084231566826

薄膜形成方法およびその装置

発明者： 河 岸 健 二 ,  荒 井 芳 博
出願人/特許権者： 東燃株式会社
代理人 (1件)： 久保田 耕平 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-150326
公開番号（公開出願番号）：特開平6-272037
出願日： 1991年06月21日
公開日（公表日）： 1994年09月27日
要約：

【要約】【目的】 基板上に均質でかつ緻密で、しかも基板との密着性に優れた薄膜を大きな成膜速度で形成することができるようなスパッタリング法による薄膜形成方法およびその装置を提供すること。【構成】 基板支持部に支持された基板と、ターゲットと、アノード電極とを備えた真空槽内において、スパッタガスの存在下で、アノードとターゲットに電圧を印加して、アノードとターゲットとの間にアーク放電させるとともに、ターゲットに電圧を印加してターゲットをスパッタリングして、基板上にスパッタ膜を被着させる薄膜形成方法およびその装置。

請求項（抜粋）：

基板支持部に支持された基板と、ターゲットと、アノード電極とを備えた真空槽内において、スパッタガスの存在下で、アノードとターゲットに電圧を印加して、アノードとターゲットとの間にアーク放電させるとともに、ターゲットに電圧を印加してターゲットをスパッタリングして、基板上にスパッタ膜を被着させる薄膜形成方法。

IPC (2件)：

C23C 14/36 ,  C23C 14/34