特許

J-GLOBAL ID：200903084233236173

スパッタリング式成膜装置

発明者： 井上 晋一 ,  塚崎 尚 ,  伊藤 有希 ,  山西 健一郎 ,  田中 正明
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-010418
公開番号（公開出願番号）：特開平6-220621
出願日： 1993年01月26日
公開日（公表日）： 1994年08月09日
要約：

【要約】【目的】 高品位の薄膜を安定に形成できるようにする。【構成】 放電室10と成膜室2との間に、ノズル24が形成された隔壁23を設けた。アルゴンガスは放電室10から成膜室2に流れ込み難くなるから、放電室10の圧力を放電が発生するために必要な圧力に高めるに当たり、アルゴンガスの流量を従来の装置より少なくできる。したがって、成膜室2の圧力を低下させて成膜を行える。このため、気体分子が薄膜中に取り込まれるのを可及的抑えることができ、結晶が緻密な薄膜を形成することができる。

請求項（抜粋）：

放電装置内で放電によってターゲットをスパッタリングし、ターゲットから放出されたスパッタ粒子を放電装置に一連に設けられた成膜室へキャリアガスによって流して成膜室内の基板上に堆積させるスパッタリング式成膜装置において、前記放電装置の放電室と成膜室との間に、小径な開口からなるノズルが形成された隔壁を設けたことを特徴とするスパッタリング式成膜装置。