半導体基板及び電界効果型トランジスタ並びにこれらの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：志賀正武 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-238172
公開番号（公開出願番号）：特開2003-051444
出願日： 2001年08月06日
公開日（公表日）： 2003年02月21日
要約：

【要約】【課題】半導体基板及び電界効果型トランジスタ並びにこれらの製造方法において、貫通転位密度を低く、表面ラフネスも実用レベルまで小さくすること。【解決手段】 Si基板1と、該Si基板上の第1のSiGe層2と、該第1のSiGe層上に直接又はSi層を介して配された第2のSiGe層3とを備え、前記第1のSiGe層は、膜厚の増加により転位を発生して格子緩和が生ずる膜厚である臨界膜厚の2倍より薄い膜厚であり、前記第2のSiGe層は、そのGe組成比が少なくとも前記第1のSiGe層あるいは前記Si層との接触面で第1のSiGe層におけるGe組成比の層中の最大値より低く、かつ、少なくとも一部にGe組成比が表面に向けて漸次増加した傾斜組成領域を有する。

請求項（抜粋）：

Si基板と、該Si基板上の第1のSiGe層と、該第1のSiGe層上に直接又はSi層を介して配された第2のSiGe層とを備え、前記第1のSiGe層は、膜厚の増加により転位を発生して格子緩和が生ずる膜厚である臨界膜厚の2倍より薄い膜厚であり、前記第2のSiGe層は、そのGe組成比が少なくとも前記第1のSiGe層あるいは前記Si層との接触面で第1のSiGe層におけるGe組成比の層中の最大値より低く、かつ、少なくとも一部にGe組成比が表面に向けて漸次増加した傾斜組成領域を有することを特徴とする半導体基板。

IPC (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 29/161 , H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 29/78 301 B , H01L 29/163

Fターム (32件)：

5F045AB01 , 5F045AC01 , 5F045AF03 , 5F045BB04 , 5F045BB12 , 5F045BB16 , 5F045CA05 , 5F045DA53 , 5F045DA58 , 5F045DA67 , 5F052DA01 , 5F052DA03 , 5F052GC01 , 5F052GC03 , 5F052JA01 , 5F052JA09 , 5F052KA01 , 5F052KA05 , 5F140AA00 , 5F140AA01 , 5F140AA05 , 5F140AB03 , 5F140AC28 , 5F140BA01 , 5F140BA05 , 5F140BA17 , 5F140BC12 , 5F140BE09 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BG27 , 5F140BK13

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-100217
化合物半導体エピタキシャルウエーハ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-022029 出願人：信越半導体株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-069725 出願人：株式会社日立製作所

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