特許

J-GLOBAL ID：200903084234667151

蛍光体の成膜方法

発明者： 平尾 孝 ,  古田 守
出願人/特許権者： 学校法人高知工科大学 ,  ソナック株式会社
代理人 (1件)： 清原 義博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-156880
公開番号（公開出願番号）：特開2008-308725
出願日： 2007年06月13日
公開日（公表日）： 2008年12月25日
要約：

【課題】 蛍光体の結晶粒径を微細化することで、薄膜化・表面平滑化を実現することのできる蛍光体の成膜方法を提供することを解決課題とする。【解決手段】 電子を照射することにより発光する蛍光体を基板上に成膜する方法であって、前記蛍光体の成膜をスパッタリング法により前記基板にバイアス電力を印加しつつ行うことを特徴とする蛍光体の成膜方法である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

電子を照射することにより発光する蛍光体を基板上に成膜する方法であって、 前記蛍光体の成膜をスパッタリング法により前記基板にバイアス電力を印加しつつ行うことを特徴とする蛍光体の成膜方法。

IPC (7件)：

C23C 14/08 ,  C09K 11/00 ,  C09K 11/08 ,  C09K 11/64 ,  C09K 11/62 ,  H01J 9/227 ,  C23C 14/34

FI (8件)：

C23C14/08 C ,  C09K11/00 A ,  C09K11/08 A ,  C09K11/08 B ,  C09K11/64 ,  C09K11/62 ,  H01J9/227 C ,  C23C14/34 S

Fターム (23件)：

4H001CA06 ,  4H001CF01 ,  4H001CF02 ,  4H001XA03 ,  4H001XA08 ,  4H001XA11 ,  4H001XA13 ,  4H001XA30 ,  4H001XA31 ,  4H001XA49 ,  4H001XA90 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA49 ,  4K029CA06 ,  4K029CA13 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC16 ,  4K029DC32 ,  4K029DC35 ,  4K029DC39 ,  5C028HH14

引用特許：

出願人引用 (1件)

• ナノ薄膜蛍光体及びその合成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-302962   出願人：株式会社アルバック