特許
J-GLOBAL ID:200903084238152679

導電膜形成用組成物と導電膜の形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 広瀬 章一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-283754
公開番号(公開出願番号):特開平8-143792
出願日: 1994年11月17日
公開日(公表日): 1996年06月04日
要約:
【要約】【構成】 錫を含有する酸化インジウム (ITO) 粉末100 重量部、有機酸化合物 (例、オクチル酸) 1〜40重量部、および有機酸金属塩化合物 (例、オクチル酸のCo、Ni、Pb、In、Al、Fe、Ti、SbまたはZn塩) 0.2〜15重量部を溶媒中に含有する導電膜形成用組成物を基体に塗布し、300 °C以上の非酸化性雰囲気中で焼成して、透明導電膜を形成する。有機酸化合物と有機酸金属塩化合物は予めITO粉末表面に被覆しておいてもよい。また、ITO粉末を有機酸化合物と溶媒からなる導電膜形成用組成物を基体に塗布し、塗膜に有機酸金属塩化合物の溶液を含浸させ、同様に焼成してもよい。【効果】 表面抵抗値 101〜102 Ω/□台、ヘーズ2%以下、密着性 (碁盤目試験) 95/100以上という低抵抗、低ヘーズ、高密着性の透明導電膜が得られる。
請求項(抜粋):
錫を含有する酸化インジウム粉末、溶媒、有機酸化合物、および有機酸金属塩化合物からなり、前記粉末100 重量部に対して、有機酸化合物を1〜40重量部、有機酸金属塩化合物を 0.2〜15重量部の割合で含有する、導電膜形成用組成物。
IPC (2件):
C09D 5/24 PQW ,  H01B 13/00 503
引用特許:
審査官引用 (5件)
  • 特開昭63-151619
  • 特開昭56-165202
  • 特開昭63-131408
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