特許
J-GLOBAL ID：200903084239972190
高電圧発生装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-078533
公開番号（公開出願番号）：特開平6-276730
出願日： 1993年03月15日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：
【要約】【目的】 電源電圧に依存しない安定な高電圧を発生する高電圧発生装置を提供する。【構成】 本発明の高電圧発生装置は、例えば半導体基板1に形成される。高電圧発生手段10から得られた高電圧を電位制限手段20に入力する。その電位制限手段の出力電圧を電圧検知手段40で検知し、その情報をバイパス手段50にフィードバックさせることによって、電位制限手段の出力電流の基準値を越える分をこのバイパス手段を介して外部に流す。
請求項（抜粋）：
外部から電源電圧を入力することによって高電圧を出力する高電圧発生手段と、前記高電圧発生手段の出力電圧を入力してこの出力電圧の電位を制限する電位制限手段と、前記電位制限手段の出力電圧を検知する電圧検知手段と、前記高電圧発生手段の出力が所定の値を越えたときに前記高電圧発生手段の出力電流をバイパスさせるバイパス手段とを具備し、前記電圧検知手段の出力は、前記バイパス手段にフィードバックさせることを特徴とする高電圧発生装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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