特許
J-GLOBAL ID：200903084242169276
フォトダイオード
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-083704
公開番号（公開出願番号）：特開平9-275224
出願日： 1996年04月05日
公開日（公表日）： 1997年10月21日
要約：
【要約】【課題】有効な内部量子効率とCR時定数を確保しつつ周波数応答と飽和出力を改善するための素子構造を有するフォトダイオードを提供する。【解決手段】第1の伝導形の半導体層と第2の伝導形の第2の半導体層とに挾まれ、第1および第2の半導体層よりも低いドーピング濃度を持つ第3の半導体層と、第1の半導体層に接して第3の半導体層の反対側に設けた第1の伝導形の第4の半導体層と、第2および第4の半導体層とに直接もしくは間接的に接続されたアノード電極とカソード電極を備えた半導体pn接合ダイオード構造を有し、第1の半導体層の一部が電荷中性条件を保ち、光吸収層として機能するようにバンドギャップエネルギーを設定し、かつ第2および第3の半導体層が光吸収層として機能しないように調整すると共に、第4の半導体層のバンドギャップエネルギーを第1の半導体層よりも大きく設定したフォトダイオードとする。
請求項（抜粋）：
第1の伝導形の第1の半導体層と、第2の伝導形の第2の半導体層と、これらの半導体層に挾まれ、上記第1の半導体層および第2の半導体層よりも低いドーピング濃度を持つ第3の半導体層と、上記第1の半導体層に接して、上記第3の半導体層の反対側に配設された第1の伝導形を持つ第4の半導体層と、上記第2の半導体層と、上記第4の半導体層とに、直接もしくは間接的に接続されたアノード電極と、カソード電極を備えた半導体pn接合ダイオード構造を有し、上記第1の半導体層の一部が電荷中性条件を保ち、光吸収層として機能するようにバンドギャップエネルギーが設定され、かつ第2および第3の半導体層が光吸収層として機能しないようにバンドギャップエネルギーが設定され、上記第4の半導体層のバンドギャップエネルギーを、上記第1の半導体層のバンドギャップエネルギーよりも大きく設定したことを特徴とするフォトダイオード。
引用特許：
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