特許
J-GLOBAL ID：200903084242219478
半導体装置の洗浄方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 望稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-246164
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097172
出願日： 1992年09月16日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：
【要約】【目的】Cuを含むAl合金からなる配線層が露出する橋歩に、水洗時のピット形成を完全に抑制することができ、ピット発生に起因する導通不良を防止することができ、また水洗を充分に行うことができるので残留有機物やパーティクルも除去でき、歩留りの向上に有効な半導体装置の洗浄方法の提供。【構成】Cuを含むAl合金からなる配線層が露出した半導体装置を洗浄する方法であって、剥離液処理およびリンス処理を行った後、前記配線層の表面に保護酸化膜を形成し、水洗を行う工程を有する半導体装置の洗浄方法。
請求項（抜粋）：
Cuを含むAl合金からなる配線層が露出した半導体装置を洗浄する方法であって、剥離液処理およびリンス処理を行った後、前記配線層の表面に保護酸化膜を形成し、水洗を行う工程を有する半導体装置の洗浄方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/304 341
