特許

J-GLOBAL ID：200903084243192107

半導体装置及びその製造方法並びに有機ELディスプレイパネル

発明者： 渡辺 圭介
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 大石 皓一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-253262
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076346
出願日： 2000年08月24日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】 リーク電流が少なく且つ膜質に優れたゲート絶縁膜を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基板2上にポリシリコン膜15を形成する工程と、ポリシリコン膜15をパターニングすることにより島状シリコン3を形成する工程と、島状シリコン3を熱酸化することにより島状シリコン3の表面に第1の熱酸化膜4を形成する工程と、第1の熱酸化膜4上にアモルファスシリコン膜19を形成する工程と、アモルファスシリコン膜19を熱酸化することにより第1の熱酸化膜4上に第2の熱酸化膜5を形成する工程と、第2の熱酸化膜5上にゲート電極6を形成する工程とを備える。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された島状シリコンと、前記島状シリコンの表面に形成された第1の熱酸化膜と、前記第1の熱酸化膜上に形成された第2の熱酸化膜とを備え、前記第1の熱酸化膜は前記島状シリコンが熱酸化されることによって形成された膜であり、前記第2の熱酸化膜は前記第1の熱酸化膜上に形成されたシリコン薄膜が熱酸化されることによって形成された膜であることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (4件)：

H01L 21/316 S ,  H01L 29/78 617 V ,  H01L 27/04 C ,  H01L 29/78 617 U

Fターム (39件)：

5F038AC04 ,  5F038AC05 ,  5F038AC16 ,  5F038AC17 ,  5F038CD02 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ16 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA01 ,  5F058BB07 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BE10 ,  5F058BF55 ,  5F058BF62 ,  5F058BH20 ,  5F110AA06 ,  5F110BB04 ,  5F110DD03 ,  5F110EE09 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG35 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL01 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN27 ,  5F110NN72 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110QQ11