特許

J-GLOBAL ID：200903084246597817

荷電粒子の投影システム

発明者： シュテンクル ゲルハルト ,  チャルプカ アルフレット ,  フォナハ ヘルベルト
出願人/特許権者： アイエムエス イオネン マイクロファブルカティオンズ システメ ゲーエムベーハー
代理人 (1件)： 荒船 博司
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-518728
公開番号（公開出願番号）：特表平9-510827
出願日： 1995年01月12日
公開日（公表日）： 1997年10月28日
要約：

【要約】荷電粒子、特にイオンの投影システムは、荷電粒子ビームの行路に配置され透明なスポット特に開口を備えたマスクを有している。この透明なスポットは光軸に関して非対称に配置され、荷電粒子ビームの行路に配置されたレンズによりウェーハ上に再生される。荷電粒子ビームはマスクとウェーハとの間に少くとも一つの(光軸を少くとも一回横切る)クロスオーバーを有する。再生粒子の電荷と反対の電荷を有する荷電粒子が、マスクとウェーハとの間の規定された領域内の再生荷電粒子ビームの行路に供給される。その領域を限定する境界は、マスク構造を再生するための粒子に対する空間電荷の積分効果の絶対値がその領域の下流への空間電荷の積分効果の絶対値と同様に(放射の方向に見て)その領域の上流に沿って高いように選択される。

請求項（抜粋）：

荷電粒子のビーム行路内に配列され、透明部分、特に孔が形成されたマスクを持ち、この透明部分は、光軸に関して特に非対称的に配列され、荷電粒子のビーム行路内に配列されたレンズを用いてウェーハ上に結像されるように構成されている荷電粒子特にイオンの投影システムにおいて、 前記荷電粒子のビームはマスクとウェーハとの間に少くとも一つの(光軸を横切る)クロスオーバーを有し、マスクとウェーハとの間の確定領域において結像を行なう粒子の電荷と反対に荷電された荷電粒子が結像粒子のビーム行路に向けられ、この領域を限定する限界が、マスク構造を結像する粒子への空間電荷の積分効果の絶対量がこの領域の後の空間電荷の積分効果の絶対量とこの領域の前で(ビーム方向から見て)大きさが同一であるように選定されることを特徴とする荷電粒子の投影システム。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 506 ,  H01J 37/09 ,  H01J 37/317

FI (4件)：

H01L 21/30 551 ,  G03F 7/20 506 ,  H01J 37/09 Z ,  H01J 37/317 Z