特許
J-GLOBAL ID：200903084260206294
窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法、半導体装置の製造方法、窒化物系III-V族化合物半導体成長用基板および窒化物系III-V族化合物半導体成長用基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-043456
公開番号（公開出願番号）：特開平11-243253
出願日： 1998年02月25日
公開日（公表日）： 1999年09月07日
要約：
【要約】【課題】 良質の単結晶の窒化物系III-V族化合物半導体を成長させることができる窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法、半導体装置の製造方法、窒化物系III-V族化合物半導体成長用基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】 基板上に層状物質からなる層を分子線エピタキシー法などにより成長させた後、この層状物質からなる層上に窒化物系III-V族化合物半導体を成長させる。基板としてはGaAs基板やSi基板などを用い、好ましくは層状物質からなる層の成長前に表面のダングリングボンドを終端させておく。層状物質としては、MoS2 などの遷移金属ダイカルコゲナイド、グラファイト、雲母などを用いる。この窒化物系III-V族化合物半導体を用いて半導体レーザ、発光ダイオード、FETなどを製造する。
請求項（抜粋）：
基板上に層状物質からなる層を成長させた後、この層状物質からなる層上に窒化物系III-V族化合物半導体を成長させるようにしたことを特徴とする窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法。
IPC (7件)：
H01S 3/18
, C30B 29/40 502
, H01L 21/203
, H01L 21/205
, H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 33/00
H01S 3/18
, C30B 29/40 502 H
, H01L 21/203 M
, H01L 21/205
, H01L 33/00 C
, H01L 29/80 B
