特許
J-GLOBAL ID：200903084261279040
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-099211
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299518
出願日： 1992年04月20日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：
【要約】【目的】 バイアホールの側壁でのスピンオングラスの露出を防ぐ。【構成】 半導体基板1上に絶縁膜2を形成し、その上に所定のパターンの下層金属配線と、絶縁膜5とを順次形成する。さらにスピンオングラス4を形成して表面を平坦化し、その上に、絶縁膜9を形成する。その後バイアホール10を開孔し、酸素-フッ素系ガスでその開孔部に露出している下層金属配線3をスパッタリングして保護膜8(金属-酸素-フッ素)を形成する。さらに上層金属配線7を形成する。【効果】 バイアホール10の壁部にスピンオングラス4の露出を防ぎ、その脱ガスの影響をなくした。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、選択的に第1の配線層を形成する工程と、前記第1の配線層及び半導体基板上に第1の絶縁膜を形成する工程と、回転塗布材料により前記第1の絶縁層を平坦化する工程と、前記回転塗布材料の上に、第2の絶縁層を形成する工程と、前記配線層の少なくとも一部を露出しかつ前記回転塗布材料の一部が側壁に露出している開孔部を形成する工程と、酸素とフッ素系ガスを含む混合ガスで前記配線層の露出した少なくとも一部をスパッタリングすることによって保護膜を前記開孔部の側壁に形成する工程と、前記開孔部において前記第1の配線層と接続される第2の配線層を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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