特許

J-GLOBAL ID：200903084268114488

半導体装置

発明者： 西嶋 将明
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (1件)： 新居 広守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-307919
公開番号（公開出願番号）：特開2009-135608
出願日： 2007年11月28日
公開日（公表日）： 2009年06月18日
要約：

【課題】高周波数帯で高出力及び高効率な特性並びに低消費電力の半導体装置を提供する。【解決手段】高周波電力増幅器であって、III-V族窒化物半導体から構成された高周波電力を増幅するFETを有する最終段パワーアンプ101及びドライバー段アンプ103と、商用電源105から供給される交流電圧を直流電圧に変換する整流回路106を有し、直流電圧を最終段パワーアンプ101及びドライバー段アンプ103のFETのドレインに印加するドレイン電圧源102とを備える。【選択図】図1A

請求項（抜粋）：

III-V族窒化物半導体から構成された高周波電力を増幅するトランジスタを有するアンプと、 商用電源から供給される交流電圧を直流電圧に変換する整流回路を有し、前記直流電圧を前記トランジスタのドレインに供給する電圧供給回路とを備える ことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H03F 3/60 ,  H03F 1/02 ,  H03F 3/68

FI (3件)：

H03F3/60 ,  H03F1/02 ,  H03F3/68 Z

Fターム (44件)：

5J067AA04 ,  5J067AA41 ,  5J067CA36 ,  5J067FA15 ,  5J067FA16 ,  5J067HA09 ,  5J067HA25 ,  5J067HA29 ,  5J067HA33 ,  5J067KA29 ,  5J067KA51 ,  5J067KS18 ,  5J067MA08 ,  5J067MA21 ,  5J067QA02 ,  5J067QA03 ,  5J067QA04 ,  5J067QS03 ,  5J067TA02 ,  5J067TA05 ,  5J500AA04 ,  5J500AA41 ,  5J500AC36 ,  5J500AF15 ,  5J500AF16 ,  5J500AH09 ,  5J500AH29 ,  5J500AH33 ,  5J500AK12 ,  5J500AK29 ,  5J500AK47 ,  5J500AK51 ,  5J500AK68 ,  5J500AM08 ,  5J500AM21 ,  5J500AQ02 ,  5J500AQ03 ,  5J500AQ04 ,  5J500AT01 ,  5J500AT02 ,  5J500AT05 ,  5J500CK03 ,  5J500LV08 ,  5J500WU08

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許第5726605号明細書