特許
J-GLOBAL ID：200903084273313960
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-052412
公開番号（公開出願番号）：特開平6-267939
出願日： 1993年03月12日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の絶縁膜として埋め込み性が良好であるとともにボイドを有しない優れた膜質のものを形成する。【構成】 シリコンウエファ11の表面にBPSG膜12を形成し、その上にその上に金属配線13を形成し、さらにプラズマ-TEOS CVD 膜14を形成した後、エタノール、メタノールなどの有機化合物もしくはその水溶液またはその有機溶媒溶液で処理し、次にTEOS, TMOSなどの有機ケイ素化合物を原料ガスとする化学気相成長、例えば常圧オゾン-TEOS CVDにより絶縁膜15を形成する。このように下地表面を有機化合物により処理することにより埋め込み性が良く、ボイドが無く、良好な膜質の絶縁膜を形成できる。
請求項（抜粋）：
化学気相成長によって半導体装置の絶縁膜を形成するに当たり、下地表面を有機化合物を含む処理流体で処理した後、絶縁膜を化学気相成長によって形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (1件)
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