特許

J-GLOBAL ID：200903084277472974

多結晶半導体膜の製造方法

発明者： 杉山 隆英
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-300868
公開番号（公開出願番号）：特開2001-119003
出願日： 1999年10月22日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：

【要約】【課題】 低融点ガラス等の基板上に膜質の良い多結晶シリコン膜を形成すること。【解決手段】 高融点材料である石英基板10上に、膜内にのみ緻密な細孔を備えるシリカ系多孔体膜12を形成する。多孔体膜12を形成した後、この膜12の上に非晶質又は多結晶のシリコン膜14を形成し、高温熱処理を施してシリコン膜を多結晶化し、結晶粒サイズを大きくかつ均一に成長させて多結晶シリコン膜16を形成し、転写母材を得る。次に被転写基板として、低融点のガラス基板20の表面に、多結晶シリコン膜16の表面が当接するよう転写母材を配置し、多結晶シリコン膜16とガラス基板20とを接合し、エッチング材としてのフッ酸溶液に浸す。多孔質膜12がこのフッ酸により最も速くエッチングされるため、母材の石英基板10から多結晶シリコン膜16が剥離されて、ガラス基板20に残り、結果としてガラス基板20上に高温熱処理が施されて得られた膜質の良い多結晶シリコン膜16が転写される。

請求項（抜粋）：

高融点材料基板上に多孔体膜を形成した後、該多孔体膜上に、高温熱処理により多結晶半導体膜を形成して転写母材を作成し、前記多結晶半導体膜が被転写基板に当接するよう前記転写母材を配置し、エッチング処理によって前記転写母材から前記多孔体膜を選択的に除去して前記被転写基板上に前記多結晶半導体膜を残し、被転写基板上に多結晶半導体膜を得ることを特徴とする多結晶半導体膜の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 27/12 B ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/78 627 D

Fターム (12件)：

5F052AA11 ,  5F052DA02 ,  5F052DB01 ,  5F052DB07 ,  5F052FA01 ,  5F110DD02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110PP10 ,  5F110QQ17