半導体発光素子及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高野則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-391632
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197965
出願日： 2001年12月25日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：

【要約】【課題】高い光取り出し効率を有する半導体発光素子を容易に製造することが困難であった。【解決手段】基板1の上にn型クラッド層7、活性層8、p型クラッド層9を含む半導体領域2を設ける。半導体領域3の上に厚さ0.01μmのAlGaAsから成る第1のコンタクト層12と厚さ0.01μmのGaAsから成る第2のコンタクト層13とを設ける。第2のコンタクト層13の表面の中央に電流ブロック層4を設ける。電流ブロック層4の上に第1の電極5のパッド部分5aを設け、第2のコンタクト層13の上に第1の電極5の細状部分5bを設ける。第1の電極5をコンタクト層13に合金化しないチタンから第1の金属層14とボンディング性の良い金から成る第2の金属層15とで構成する。

請求項（抜粋）：

発光機能を得るための複数の半導体層を含んでいる半導体領域と、前記半導体領域の一方の主面に形成されたコンタクト層と、前記コンタクト層の表面の一部に配置された電流ブロック層と、前記コンタクト層の表面の一部及び前記電流ブロック層の表面の少なくとも一部に配置され且つ金よりも高い融点を有する材料から成り且つ前記コンタクト層と合金化反応を起こさないように形成された第1の金属層と前記第1の金属層の上に配置され且つ前記第1の金属層よりも低い融点を有している材料で形成された第2の金属層とから成る第1の電極と、前記半導体領域の他方の主面に電気的に接続された第2の電極とを備えた半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01L 21/28 301

FI (3件)：

H01L 33/00 E , H01L 33/00 B , H01L 21/28 301 R

Fターム (18件)：

4M104AA05 , 4M104BB10 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104DD34 , 4M104DD63 , 4M104FF02 , 4M104FF13 , 4M104GG04 , 5F041AA03 , 5F041AA41 , 5F041CA34 , 5F041CA37 , 5F041CA83 , 5F041CA85 , 5F041CA92 , 5F041CA93 , 5F041CA99

前のページに戻る