特許
J-GLOBAL ID：200903084280753410
薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-213067
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061489
出願日： 1992年08月10日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：
【要約】【目的】 結晶性に優れた多結晶シリコンゲルマニウム薄膜からなるチャネル領域を備え、かつ高いキャリヤ移動度を有する薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【構成】 多結晶シリコンゲルマニウム薄膜からなるチャネル領域を備えたMOS型の薄膜トランジスタの製造方法である。この製造方法は、シリコン水素化物としてSi2H6およびSi3H6のいずれか1つと、ゲルマニウム水素化物としてGeH4、Ge2H6およびGe3H8のいずれか1つとを混合した原料気体を、550°C以下の反応温度で反応させることにより、上記チャネル領域に非晶質シリコンゲルマニウム膜を形成する工程と、上記反応温度よりも高い温度で上記非晶質シリコンゲルマニウム膜を熱処理することにより多結晶シリコンゲルマニウム薄膜を形成する工程とを含む。
請求項（抜粋）：
多結晶シリコンゲルマニウム薄膜からなるチャネル領域を備えたMOS型の薄膜トランジスタの製造方法において、Si2H6およびSi3H6のいずれか1つと、GeH4、Ge2H6およびGe3H8のいずれか1つとを混合した原料気体を、550°C以下の反応温度で反応させることにより、該チャネル領域に非晶質シリコンゲルマニウム膜を形成する工程と、 該反応温度よりも高い温度で該非晶質シリコンゲルマニウム膜を熱処理することにより、多結晶シリコンゲルマニウム薄膜を形成する工程と、を含む薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (2件)：
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