特許
J-GLOBAL ID：200903084281614236
マスクパターン検査方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田澤 博昭 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-305145
公開番号（公開出願番号）：特開平8-160598
出願日： 1994年12月08日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：
【要約】【目的】 光近接効果の補正時に生じる異常な補正部分も確実に検出することができるマスクパターン検査方法を得る。【構成】 光近接効果補正前の設計データ1よりそのパターン形状が当該設計データと同一の異常補正検出用検査データ14を作成し、製作されたマスクのマスクパターン、あるいはウェハー上に転写されたレジストパターンとこの異常補正検出用検査データとの照合結果に基づいて異常補正部分の検出を行う。また、光近接効果補正前後のデータ間で図形間論理演算を行い、抽出された両者の相違部分にサイジング処理を施して異常補正部分の検出を行う。
請求項（抜粋）：
設計データに光近接効果補正を行った後の補正データに基づく電子ビーム描画データにて形成される、半導体集積回路作成のためのマスクのマスクパターンに、前記光近接効果補正によって生じた異常補正部分を検出するためのマスクパターン検査方法において、光近接効果補正を行う前の前記設計データより、そのパターン形状が当該設計データと同一の異常補正検出用検査データを作成し、前記マスクのマスクパターンと前記異常補正検出用検査データとを比較・照合し、その結果に基づいて前記異常補正部分を検出することを特徴とするマスクパターン検査方法。
IPC (2件)：
G03F 1/08
, H01L 21/304 311
