特許
J-GLOBAL ID:200903084282859925
ガスセンサ
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
下田 容一郎 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-089735
公開番号(公開出願番号):特開平8-015195
出願日: 1995年04月14日
公開日(公表日): 1996年01月19日
要約:
【要約】【目的】 高感度で経時安定性に優れたガスセンサを得る。【構成】 ガスセンサ1はアルミナ製の絶縁基板2の表面に一対の櫛形電極3a,3bを形成し、この電極3a,3bに重なるように絶縁基板2の表面に厚さが200μm以上1mm以下の多孔質金属酸化物半導体層4を形成し、更に絶縁基板2の裏面にはヒータ線を形成している。
請求項(抜粋):
主体となる金属酸化物に貴金属を添加した金属酸化物半導体に対するガスの吸脱着による抵抗値の変化を利用したガスセンサにおいて、このガスセンサは絶縁体からなる基板の一面側に一対の電極を形成し、更にこの電極に重なるように厚さが100μm以上1mm以下の多孔質金属酸化物半導体層を基板上に形成し、更に基板の他面側にヒータを形成したことを特徴とするガスセンサ。
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