特許

J-GLOBAL ID：200903084283015089

コンタクトホールの形成方法及び液晶表示装置

発明者： 日野 輝重 ,  森田 浩正 ,  柴田 英次
出願人/特許権者： 株式会社アドバンスト・ディスプレイ
代理人 (1件)： 大槻 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-260897
公開番号（公開出願番号）：特開2004-103680
出願日： 2002年09月06日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：

【課題】コンタクトホールのコンタクト抵抗を低減し、スループットの向上を図ったコンタクトホールの形成方法を提供する。【解決手段】絶縁性基板1上に設けられたゲート電極配線膜(導電膜)2を被覆するゲート絶縁膜3に設けるコンタクトホール10の形成方法を、20Pa未満の処理ガス圧によりエッチングする第1のエッチング工程と、第1のエッチング工程後に行われ、20Pa未満の処理ガス圧であり、かつ第1のエッチング工程におけるドライエッチングのRFパワーよりも低いRFパワー、好ましくは、単位面積換算で0.05〜0.23W/cm2であるRFパワーによりエッチングする第2のエッチング工程とから構成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上に設けられた導電膜を被覆する絶縁膜に貫通孔を形成するコンタクトホールの形成方法であって、 20Pa未満の処理ガス圧によりエッチングする第1のエッチング工程と、第1のエッチング工程後に行われ、20Pa未満の処理ガス圧であり、かつ第1のエッチング工程におけるドライエッチングのRFパワーよりも低いRFパワーによりエッチングする第2のエッチング工程とから成ることを特徴とするコンタクトホールの形成方法。

IPC (6件)：

H01L21/3065 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L29/786

FI (5件)：

H01L21/302 101B ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/90 A ,  H01L29/78 612D

Fターム (61件)：

2H092GA11 ,  2H092GA12 ,  2H092GA29 ,  2H092JA24 ,  2H092JA46 ,  2H092JA49 ,  2H092MA08 ,  2H092MA17 ,  2H092MA22 ,  2H092NA11 ,  2H092NA13 ,  2H092NA27 ,  2H092NA28 ,  2H092NA29 ,  5F004AA05 ,  5F004AA09 ,  5F004AA12 ,  5F004BA04 ,  5F004BD03 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004DA01 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004EA28 ,  5F004EB01 ,  5F033GG03 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ38 ,  5F033KK17 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ92 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033WW00 ,  5F033WW05 ,  5F033WW06 ,  5F033WW07 ,  5F033XX09 ,  5F110AA03 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HL14 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ04