特許

J-GLOBAL ID：200903084283285302

多波長集積化半導体レーザの製造方法

発明者： 土屋 博
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-151356
公開番号（公開出願番号）：特開平5-327119
出願日： 1992年05月18日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】 組成の異なる活性層を有する複数の成長層を一度に形成することができる多波長集積化半導体レーザの製造方法を提供する。【構成】 Si基板1上にマスク2aを形成する。マスク2aは開口幅2μm,その両側被覆幅2μmの領域と、開口幅2μm,その両側被覆幅5μmの領域とを有する。このようにマスク被覆幅がことなる開口部にMOVPE 法により成長を行うと組成が異なる成長層3,4を一度に形成することができる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成したマスクを用いその組成が異なる複数の成長層を基板上に形成して多波長集積化半導体レーザを製造する方法において、前記基板上に、開口幅は同一でその被覆幅が異なる複数の開口部を有するマスクを設け、該複数の開口部に成長層を形成することを特徴とする多波長集積化半導体レーザの製造方法。