シリコンデバイスの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮田金雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-166215
公開番号（公開出願番号）：特開2002-359228
出願日： 2001年06月01日
公開日（公表日）： 2002年12月13日
要約：

【要約】【課題】 n型シリコン基板の電気化学エッチングにおいて、エッチングするべき領域の周辺部では、電流密度が高くなり、横方向のエッチングが発生したり、過度のエッチングが起こるといった課題がある。【解決手段】 n型シリコン基板上のエッチング領域にエッチング開始パターンを有し、上記エッチング領域はフッ素イオンを含む溶液に接し、上記エッチングすべき領域を含む面とは反対面より光を照射し、該シリコン基板が上記フッ素イオンを含む溶液中に配置された対向電極に対して陽極となるように電圧を印加することにより該シリコン基板をエッチングする工程において、該シリコン基板への光照射を一部領域に制限するものである。

請求項（抜粋）：

エッチング開始パターンの形成されたn型シリコン基板の第1の面に対して、フッ素イオンを含む溶液を介して対向電極を対向配置し、上記エッチング開始パターンの形成されている領域を一部含んだ領域に相当する上記n型シリコン基板の第2の面側の領域、あるいは略上記エッチング開始パターンの形成されていない領域からエッチング開始パターンの形成されている境界までの領域に相当する上記n型シリコン基板の第2の面側の領域に、光照射されないように制限して、上記n型シリコン基板の第2の面へ光を照射し、上記n型シリコン基板を上記対向電極に対して陽極となるように電圧を印加することにより、上記n型シリコン基板にエッチングを施し、シリコンデバイスを製造することを特徴とするシリコンデバイスの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3063 , H01L 21/329

FI (2件)：

H01L 21/306 L , H01L 29/91 A

Fターム (7件)：

5F043AA02 , 5F043BB01 , 5F043CC05 , 5F043DD08 , 5F043DD17 , 5F043EE14 , 5F043FF01

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