特許

J-GLOBAL ID：200903084288405853

半導体発光素子

発明者： 尺田 幸男 ,  松本 幸生 ,  小黒 伸顕
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-157482
公開番号（公開出願番号）：特開2004-363206
出願日： 2003年06月03日
公開日（公表日）： 2004年12月24日
要約：

【課題】発光しても外部に取り出して利用するのが困難な上部電極の下側での発光を抑制し、発光した光はできるだけ外部に取り出して発光効率を向上させることができる構造の半導体発光素子を提供する。【解決手段】導電性基板1の一面側に発光層形成部3を含む半導体積層部10が設けられ、その半導体積層部の上面側に、チップ面積の一部の大きさで上部電極6が設けられている。そして、上部電極6の下側に位置する部分で、発光層形成部3と上部電極6側の間のいずれかの層間に第1の電流ブロック層11が設けられると共に、上部電極6の下側に位置する部分で、発光層形成部3と導電性基板1との間のいずれかの層間に第2の電流ブロック層12が設けられている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

導電性基板と、該導電性基板の一面側に設けられる発光層形成部を含む半導体積層部と、該半導体積層部の上面側に、チップ面積のうちの一部の大きさで設けられる上部電極と、該上部電極の下側に位置する部分で、前記発光層形成部と前記上部電極側の間のいずれかの層に設けられる第1の電流ブロック層と、前記上部電極の下側に位置する部分で、前記発光層形成部と前記導電性基板との間のいずれかの層間に設けられる第2の電流ブロック層とからなる半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 B

Fターム (9件)：

5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA46 ,  5F041CA77 ,  5F041CB15 ,  5F041CB36