特許

J-GLOBAL ID：200903084288781740

研磨方法

発明者： 加藤 寛 ,  林 和彦 ,  河野 博之
出願人/特許権者： 株式会社トクヤマ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-112947
公開番号（公開出願番号）：特開2000-306873
出願日： 1999年04月20日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：

【要約】【課題】 極めて平坦性の高い半導体基板表面を得る研磨方法を提供する。【解決手段】 半導体基板表面に金属配線用の凹部を有する絶縁膜を形成し、その上にバリア膜を介して該凹部を埋めるように金属膜を形成した後、金属膜及びバリア膜を研磨することにより除去して絶縁膜と凹部に存在する金属膜との平坦化された面を形成するに際し、シュウ酸と過酸化水素と水とよりなる研磨剤を使用して上記金属膜を選択的に研磨する。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面に金属配線用の凹部を有する絶縁膜を形成し、その上にバリア膜を介して該凹部を埋めるように金属膜を形成した後、金属膜及びバリア膜を研磨して絶縁膜と凹部に存在する金属膜との平坦化された面を形成するに際し、上記研磨を多段階に行い、第一段研磨として、0.1〜5重量%のシュウ酸と0.1〜5重量%の過酸化水素と水とよりなる研磨剤を使用し、バリア膜を停止層とした研磨を行うことを特徴とする研磨方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 622 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14

FI (3件)：

H01L 21/304 622 X ,  C09K 3/14 550 Z ,  C09K 3/14 550 D