特許
J-GLOBAL ID：200903084290240705
半導体量子箱装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-141808
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121320
出願日： 1991年06月13日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：
【要約】【目的】 本発明は半導体量子箱装置及びその製造方法に関し、電子の0次元的閉じ込めが可能であると共に各半導体量子箱のサイズを均一にし、従って、そこでの電子のエネルギ・レベルが単一化されるようにすることを目的とする。【構成】 (111)B面をもつGaAs基板21上に形成され且つ側面の全てが(111)A面であるAlGaAsからなる截頭三角錐形の基底部分23と、基底部分23の截頭平面23A上に形成され且つGaAsで構成されて側面が全て(111)A面である三角錐形の半導体量子箱とを備えるよう構成する。
請求項（抜粋）：
(111)B面の主表面をもつ三・五族化合物半導体基板上に形成され且つ側面の全てが(111)A面である三・五族化合物半導体からなる截頭三角錐形の基底部分と、前記截頭三角錐形の基底部分に於ける截頭平面上に形成され且つ前記基底部分のエネルギ・バンド・ギャップに比較して狭いエネルギ・バンド・ギャップをもつと共に電子親和力が大きい三・五族化合物半導体で構成され側面の全てが(111)A面である三角錐形の半導体量子箱とを備えてなることを特徴とする半導体量子箱装置。
IPC (3件)：
H01L 21/20
, H01L 29/804
, H01S 3/18
