特許

J-GLOBAL ID：200903084290372679

強誘電体膜の製造方法

発明者： 片山 ▲琢▼磨
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-169990
公開番号（公開出願番号）：特開2001-354497
出願日： 2000年06月07日
公開日（公表日）： 2001年12月25日
要約：

【要約】【課題】 強誘電体膜の異方性軸が膜の上面に対して平行な一方向に揃うように形成できるようにする。【解決手段】 基板11の主面上に、室温よりも高いキュリー温度を有する強誘電体膜12を堆積し、続いて、強誘電体膜12の上に、上部応力制御材からなり、x軸方向に分割周期13aで且つ互いに間隔をおいてほぼ平行に配置され、y軸方向に分割周期13aと比べて十分に大きい長さを有するストライプ形状の上部周期構造体13を形成する。その後、強誘電体膜12をキュリー温度よりも高い温度下で結晶化した後、室温まで徐々に降下する。上部周期構造体13の熱膨張率は基板11の熱膨張率よりも大きいため、キュリー温度以下で正方晶系となる結晶体からなる強誘電体膜12は、そのc軸がx軸方向に揃えられる。

請求項（抜粋）：

基板の上に、室温よりも高いキュリー温度を有する強誘電体膜を形成する第1の工程と、基板温度を前記キュリー温度よりも高い温度とすることにより前記強誘電体膜を結晶化する第2の工程と、前記強誘電体膜に対して、結晶化した強誘電体膜の基板面と平行な一の方向に前記基板面と平行で且つ前記一の方向と交差する他の方向よりも大きい引張応力を与えながら、又は前記他の方向に前記一の方向よりも大きい圧縮応力を与えながら、基板温度を室温にまで降下させる第3の工程とを備えていることを特徴とする強誘電体膜の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 29/32 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/105 ,  H01L 41/24

FI (6件)：

C30B 29/32 C ,  C30B 29/32 D ,  H01L 21/316 P ,  H01L 21/316 X ,  H01L 27/10 444 C ,  H01L 41/22 A

Fターム (28件)：

4G077AA03 ,  4G077BC42 ,  4G077BC43 ,  4G077CB08 ,  4G077EA02 ,  4G077FE10 ,  4G077HA06 ,  5F058BA20 ,  5F058BB06 ,  5F058BB10 ,  5F058BC03 ,  5F058BF01 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ10 ,  5F083FR01 ,  5F083GA05 ,  5F083GA27 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA32 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA44 ,  5F083JA45