特許
J-GLOBAL ID:200903084292777200

太陽電池

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 吉田 研二 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-010803
公開番号(公開出願番号):特開平8-204214
出願日: 1995年01月26日
公開日(公表日): 1996年08月09日
要約:
【要約】【目的】 太陽電池の高出力電圧を得ると共に、光電変化効率を上昇する。【構成】 p型基板10の表面側にはn+拡散層12を介し負極14が設けられるが、このp型基板10とn+拡散層12の間にp+拡散層20が設けられる。そこで、この太陽電池のpn接合は、n+拡散層12とp+拡散層20との間で形成され、p型基板10の不純物濃度を小さくしても、拡散電圧を大きくすることができる。そこで、太陽電池の出力電圧を大きくすることができる。そして、p型基板10の不純物濃度を小さくすることで、ここにおけるキャリアライフタイムを大きくでき光電変換効率を上昇することができる。
請求項(抜粋):
p型基板に対して、正極となるp拡散層と、負極となるn拡散層とを形成した太陽電池において、前記n拡散層と前記p型基板との間の全面にp型基板より高不純物濃度のp+拡散層を介在させたことを特徴とする太陽電池。

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