特許
J-GLOBAL ID：200903084295654664
六方晶半導体の結晶成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-189108
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036602
出願日： 1991年07月30日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：
【要約】【目的】 SiC結晶において欠陥の少なく、表面モフォロジーの良好なSiC結晶の成長方法を提供する。【構成】 ヘキサゴナールまたはロンボヘドラル結晶のSiCを主成分とする結晶において(0001)面基板を用い、且つ該基板上に溝を形成した後、基板と同一の結晶を成長する。【効果】 表面モフォロジーが非常によくなり、製品化プロセスでの歩留りが向上するとともに発光効率の顕著に優れた発光ダイオードが得られる。
請求項（抜粋）：
(0001)面を有する六方晶半導体基板を用意する工程と、前記基板の主面に線状の凹凸部を形成する工程と、前記主面に前記基板と同じ結晶構造の半導体単結晶を成長形成する工程を含む六方晶半導体の結晶成長方法。
IPC (4件)：
H01L 21/20
, H01L 21/208
, H01L 21/36
, H01L 33/00
