特許
J-GLOBAL ID：200903084298351034
フォトマスクの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-235377
公開番号（公開出願番号）：特開2003-043665
出願日： 2001年08月02日
公開日（公表日）： 2003年02月13日
要約：
【要約】【課題】フォトマスクの検査に要する時間を短縮し、レジスト形状を高精度に予測することが可能となるフォトマスクの製造方法を提供する。【解決手段】光透過性の基材上の一部に遮光膜を形成し、フォトマスクを作製する工程(a)〜(c)と、フォトマスクに光を照射して、フォトマスクの透過光を結像させ、露光面での光強度分布を測定する工程と、光強度分布に光強度のしきい値を設け、露光の転写パターンを予測する工程と、透過光の焦点と露光面との距離であるデフォーカス量が変化するように、フォトマスクに再び光を照射し、互いに異なる複数の転写パターンを予測する工程と、光強度のしきい値およびデフォーカス量を、それぞれ所定範囲内で変化させたときの転写パターンの変動量が、所定の値以下となったフォトマスクを、使用可能と判断する工程(d)とを有するフォトマスクの製造方法。
請求項（抜粋）：
光透過性の基材上の一部に遮光膜を形成し、フォトマスクを作製する工程と、前記フォトマスクに光を照射して、前記フォトマスクの透過光を結像させ、露光面での光強度分布を測定する工程と、前記光強度分布に光強度のしきい値を設け、露光の転写パターンを予測する工程と、前記透過光の焦点と前記露光面との距離であるデフォーカス量が変化するように、前記フォトマスクに再び光を照射し、互いに異なる複数の転写パターンを予測する工程と、前記光強度のしきい値および前記デフォーカス量を、それぞれ所定範囲内で変化させたときの前記転写パターンの変動量が、所定の値以下となった前記フォトマスクを、使用可能と判断する工程とを有するフォトマスクの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
