特許

J-GLOBAL ID：200903084299988206

絶縁材料上の金属膜形成方法、これを用いたスルーホールの導通方法およびコンタクトプローブの製造方法

発明者： 加藤 直樹 ,  佐々木 勇人 ,  植木 光芳 ,  吉田 秀昭 ,  石井 利昇
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-061325
公開番号（公開出願番号）：特開平11-256391
出願日： 1998年03月12日
公開日（公表日）： 1999年09月21日
要約：

【要約】【課題】 絶縁材料上の金属膜形成方法、これを用いたスルーホールの導通方法およびコンタクトプローブの製造方法において、Agペーストを用いることなく高信頼性をもって確実にかつ容易に金属膜を形成して導通を図る。【解決手段】 絶縁材料14上に該絶縁材料が露出した部分を一部に残して予め設けたエッチング用金属膜17をプラズマエッチングにより少なくとも一部蒸発させるとともに絶縁材料が露出した部分に蒸発した金属の一部を付着させてメッキ下地膜18を形成する下地膜形成工程と、前記メッキ下地膜上に金属を電解メッキしてメッキ金属膜19を形成するメッキ膜形成工程とを備えている。

請求項（抜粋）：

絶縁材料上に該絶縁材料が露出した部分を一部に残して予め設けたエッチング用金属膜をプラズマエッチングにより少なくとも一部蒸発させるとともに絶縁材料が露出した部分に蒸発した金属の一部を付着させてメッキ下地膜を形成する下地膜形成工程と、前記メッキ下地膜上に金属を電解メッキしてメッキ金属膜を形成するメッキ膜形成工程とを備えていることを特徴とする絶縁材料上の金属膜形成方法。

IPC (6件)：

C25D 5/02 ,  C25D 7/12 ,  G01R 1/073 ,  H01L 21/66 ,  H05K 3/42 610 ,  H05K 3/42 640

FI (6件)：

C25D 5/02 B ,  C25D 7/12 ,  G01R 1/073 F ,  H01L 21/66 B ,  H05K 3/42 610 B ,  H05K 3/42 640 B