特許

J-GLOBAL ID：200903084300704535

半導体装置の製造方法

発明者： 安部 大介
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-116318
公開番号（公開出願番号）：特開平10-294360
出願日： 1997年04月18日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：

【要約】【課題】 トレンチエッチング工程を2段階で行い、トレンチ上部の面取りを行うことにより、逆狭チャンネル効果を発生させることなく微細な素子分離領域をトレンチによって形成できるようにする。【解決手段】 シリコン基板10表面にテ-パ-形状のシリコン熱酸化膜マスク20を形成した後、前記マスクとの選択比の高い条件で第一のエッチングを実施し、シリコン基板10に垂直なトレンチを形成する。次いで前記マスクとの選択比の小さい条件で,第二のエッチング工程を実施することによって、前記垂直なトレンチ上部の面取りを行い、シリコン基板10上部表面がテ-パ-形状を有するトレンチを形成する。上記2段階のエッチング工程によって形成したテ-パ-形状のトレンチを用いることによって、逆狭チャンネル効果を発生させることなく、微細な素子分離領域膜を形成できるようにする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された絶縁膜にテ-パ形状を有する開孔部を形成する工程と、前記工程により形成された開孔部に対応する前記半導体基板を第1の条件でエッチングする第1の工程と、前記第1の工程後、前記半導体基板を第2の条件でエッチングする第2の工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。