特許
J-GLOBAL ID：200903084301690430

半導体装置およびその製造方法

発明者：
牧田 直樹

牧田 直樹 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-143228
公開番号（公開出願番号）：特開2001-326176
出願日： 2000年05月16日
公開日（公表日）： 2001年11月22日
要約：
【要約】【課題】 結晶性ケイ素膜を活性領域として備えた高性能な半導体装置を、特性ばらつきが少なく、歩留まり良く製造する。【解決手段】 絶縁表面を有する基板101上に形成された非晶質ケイ素膜103の一部の領域に、その非晶質ケイ素膜の結晶化を促進するための触媒元素105を導入する触媒導入工程(図4(A))を有する。加熱処理を施して、触媒元素105が導入された領域の非晶質ケイ素膜を結晶化して結晶性ケイ素膜103aにする加熱工程(図4(B))を有する。光を照射して、その領域103aから横方向108へ非晶質ケイ素膜の結晶化を進める光照射工程(図4(C))を有する。光照射工程で結晶化された領域103cの結晶性ケイ素膜が、半導体装置を構成する能動領域の少なくとも一部になるように加工を行う素子化工程を有する。
請求項（抜粋）：
絶縁表面を有する基板上に形成された結晶性ケイ素膜を活性領域として備えた半導体装置において、上記活性領域のうち少なくとも能動領域の一部は、非晶質ケイ素膜の一部の領域に結晶化を促進するための触媒元素を導入して加熱処理によりその領域を結晶化し、この加熱処理により結晶化された領域をシードとして溶融固化過程において結晶成長させた結晶性ケイ素膜からなることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (4件)：
H01L 21/20 ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 C ,  H01L 29/78 627 Z
Fターム (63件)：
5F052AA02 ,  5F052AA11 ,  5F052AA25 ,  5F052BB01 ,  5F052BB07 ,  5F052CA07 ,  5F052CA10 ,  5F052DA02 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052EA07 ,  5F052EA16 ,  5F052FA06 ,  5F052FA19 ,  5F052GB05 ,  5F052JA01 ,  5F052JA10 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110BB10 ,  5F110BB11 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE34 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF32 ,  5F110FF36 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL01 ,  5F110HL03 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HM14 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP10 ,  5F110PP24 ,  5F110PP27 ,  5F110PP34 ,  5F110PP36 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ28
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 半導体装置作製方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-128346   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-133633   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-139151   出願人：シャープ株式会社

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