特許

J-GLOBAL ID：200903084302014064

転位線の伝搬方向の制御方法およびその用途

発明者： 岡川 広明 ,  大内 洋一郎 ,  宮下 啓二 ,  谷口 浩一 ,  只友 一行
出願人/特許権者： 三菱電線工業株式会社
代理人 (1件)： 高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-293049
公開番号（公開出願番号）：特開平11-130597
出願日： 1997年10月24日
公開日（公表日）： 1999年05月18日
要約：

【要約】【課題】 転位線の伝搬方向を意図する方向に向かわせ得る制御方法を提供し、その制御方法によって、好ましいGaN系結晶基材を形成する方法、さらにその用途を提供することである。【解決手段】 ベース基板面1上に、マスク領域12と非マスク領域11とを形成するようにマスク層2を設ける。非マスク領域からGaN系結晶の結晶成長を開始し、成長するGaN系結晶の、C軸方向への成長速度とC軸に垂直な方向への成長速度との比を制御することによって、転位線の伝搬方向を制御する。この方法を用いてGaN系結晶を成長させ、マスク領域上および/または非マスク領域上の意図する領域に、転位線の通過を回避させてなる低転位のGaN系結晶部分を形成し、GaN系結晶基材を得る。さらにこの基材を、ベース基板として、また発光素子として用いる。

請求項（抜粋）：

GaN系結晶がC軸を厚み方向として成長可能なベース基板面の一部または全部の領域に、マスク領域と非マスク領域とを形成するようにマスク層を設け、マスク層の材料をそれ自身の表面からは実質的にGaN系結晶が成長し得ない材料として、非マスク領域からGaN系結晶の結晶成長を開始し、成長するGaN系結晶の、C軸方向への成長速度とC軸に垂直な方向への成長速度との比を制御することによって、GaN系結晶中における転位線の伝搬方向を制御することを特徴とする、GaN系結晶中における転位線の伝搬方向の制御方法。

IPC (3件)：

C30B 29/38 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (3件)：

C30B 29/38 D ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (1件)

• III-V族化合物半導体膜とその成長方法、GaN系半導体膜とその形成方法、GaN系半導体積層構造とその形成方法、GaN系半導体素子とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-062760   出願人：日本電気株式会社