特許
J-GLOBAL ID：200903084306220807
抵抗付チツプバリスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
下市 努
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-183828
公開番号（公開出願番号）：特開平5-006810
出願日： 1991年06月27日
公開日（公表日）： 1993年01月14日
要約：
【要約】【目的】 静電気サージ等の高電圧パルスによる半導体部品の破壊,誤動作を確実に防止するとともに、部品点数,実装コストを低減でき、かつ電子機器の小型化に貢献できる抵抗付バリスタを提供する。【構成】 セラミックス焼結体2内に第1,第2内部電極3,4を埋設し、該第2内部電極4の一端面4bを上記焼結体2の右端面2bに露出する。そして、該焼結体2の右端面2bに抵抗層8を形成し、該抵抗層8を介して上記内部電極4の一端面4bを端面電極5に接続して抵抗付チップバリスタ1を構成する。
請求項（抜粋）：
セラミックス焼結体内に少なくとも一対の内部電極を埋設し、該各内部電極の両端面を上記焼結体の各側面に露出するとともに、該焼結体の少なくとも一側面に抵抗層を形成し、該抵抗層を介して上記内部電極の一端面を外部に導出したことを特徴とする抵抗付チップバリスタ。
IPC (2件)：
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