特許

J-GLOBAL ID：200903084310309359

ドライエツチング装置

発明者： 塚田 勉 ,  佐護 康実
出願人/特許権者： 日電アネルバ株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 正次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-302581
公開番号（公開出願番号）：特開平5-114584
出願日： 1991年10月22日
公開日（公表日）： 1993年05月07日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 長時間の使用に対してもエッチング速度がほとんど変化しないドライエッチング装置を提供することを目的としている。【構成】 真空処理室1内に互いに平行な基板載置電極2と、対向電極10を設置し、基板載置電極2に被処理基板4を載置し、電極2、10間に生成させた反応性ガスプラズマによって被処理基板4をドライエッチングする装置である。対向電極10を構成する材料が反応性ガスプラズマでエッチングを受ける導電性材料としてあると共に、基板載置電極の被処理基板4の周囲に、反応性ガスプラズマでエッチングを受ける導電性材料でなり、かつその上面を被処理基板の上面より高くしたブロックが設置してある。

請求項（抜粋）：

真空処理室内に互いに平行な基板載置電極と、それに対向する対向電極を設置し、前記基板載置電極に被処理基板を載置し、電極間に生成させた反応性ガスプラズマによって被処理基板をドライエッチングするドライエッチング装置において、前記対向電極を構成する材料が、前記反応性ガスプラズマでエッチングを受ける導電性材料としてあると共に、基板載置電極上に載置された被処理基板の周囲に前記反応性ガスプラズマでエッチングを受ける導電性材料で成るブロックが設置してあり、かつ該ブロックの上面を被処理基板の上面より高くしてあることを特徴とするドライエッチング装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭64-089518
  
• 特開昭61-224423
  
• 特開昭62-047130
  
• 特開平1-279783