特許

J-GLOBAL ID：200903084311384281

光検出器

発明者： 広木 珠代 ,  野尻 英章
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 加藤 一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-296046
公開番号（公開出願番号）：特開平7-131056
出願日： 1993年11月01日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】 時間応答特性、光電流特性及び素子特性に優れた光検出器を提供する。【構成】GaAs基板1上に、P+-GaAsホールはき出し層2、GaAs吸収層3、n-AlGaAs吸収層5を積層する。n-AlGaAs層5上に、オーミックのソース電極6、オーミックのドレイン電極8、ショットキーゲート電極7を設け、ホールはき出し層2上にホールはき出し用電極9を設ける。ドレイン電極8に対ソース電極の正電界、ゲート電極7に対ソース電極の負電界、電極9に対ソース電極の負電界を印加する。n-AlGaAs層5とφ-GaAs層3のへテロ界面に電子が移り、ポテンシャル井戸中にたまり、2次元電子ガス4が形成される。ゲート電界により2次元電子ガス濃度が変化し、ソース・ドレイン間の電界により電流が流れる。

請求項（抜粋）：

HEMT型光検出器において、吸収層及び吸収層以外の領域で生成されたホールをはきだす手段を備えたことを特徴とする光検出器。

IPC (4件)：

H01L 31/10 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 31/10 E ,  H01L 29/80 H