特許

J-GLOBAL ID：200903084320217096

疎水性内壁面を有する高信頼性ビア構造およびこの構造の製造法

発明者： ラオ、ブイ.アナプラガダ
出願人/特許権者： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-595376
公開番号（公開出願番号）：特表2002-535848
出願日： 1999年11月24日
公開日（公表日）： 2002年10月22日
要約：

【要約】半導体デバイス層中に高信頼性ビアホールを作製する方法と、疎水性でありそのために非吸湿性である内壁表層を有する高信頼性ビア構造とを提供する。ビア構造の内壁(109)は、スピンオンガラス(SOG)の特性を有する材料の層を有し、この特性とは、SOG外層がフォトレジスト灰化中に酸化してビアホール壁に二酸化ケイ素表層を形成することである。この方法では、ビアホール壁(109)の二酸化ケイ素の層が疎水性材料層(106)に転化されるように、灰化作業の後、ビア構造を化学水酸基除去作業下に置く。転化は、化学水酸基除去作業に適したハロゲン化合物を導入して実施し、その場合、ハロゲン化合物はNH4FまたはCCl4であってよい。

請求項（抜粋）：

半導体構造中にビアホールを作製する方法であって、ビアホールは疎水性材料の表層を有し、且つビアホールはスピンオンガラス材料の特性を有する外層を含み、この特性とは、外層がフォトレジスト灰化中に酸化してビアホールに二酸化ケイ素の表層を形成することであり、 灰化後に二酸化ケイ素の表層上で化学水酸基除去作業を実施して二酸化ケイ素の表層を疎水性材料の表層に転化させる作業を含む、方法。

Fターム (30件)：

5F033HH19 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ96 ,  5F033RR04 ,  5F033RR09 ,  5F033RR11 ,  5F033RR25 ,  5F033TT02 ,  5F033TT04 ,  5F033WW00 ,  5F033WW03 ,  5F033WW05 ,  5F033WW06 ,  5F033XX09 ,  5F033XX24