特許

J-GLOBAL ID：200903084320594558

半導体装置の製造方法と製造装置

発明者： 彦坂 幸信
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-082944
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297173
出願日： 1994年04月21日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置の製造におけるプロセス特性に影響を与える物理定数を直接測定して最適なプロセス条件を見い出し、最適なプロセス条件でプロセスを実行する半導体装置の製造技術を提供することである。【構成】 真空排気可能な反応容器内に処理対象基板を配置する工程と、前記反応容器内に処理ガスを導入し、プラズマを発生することにより、該処理ガスの分子を解離してラジカルを生成する工程と、前記反応容器内に発生したプラズマ中のラジカルの密度を測定する工程と、前記ラジカルの密度が所定の値になるように、前記処理ガスの解離率、及び前記反応容器内のガスの排気速度からなる群のうち少なくとも一つのものを変化させる制御工程とを含む。

請求項（抜粋）：

真空排気可能な反応容器内に処理対象基板を配置する工程と、前記反応容器内に処理ガスを導入し、プラズマを発生することにより、該処理ガスの分子を解離してラジカルを生成する工程と、前記反応容器内に発生したプラズマ中のラジカルの密度を測定する工程と、前記ラジカルの密度が所定の値になるように、前記処理ガスの解離率、及び前記反応容器内のガスの排気速度からなる群のうち少なくとも一つのものを変化させる制御工程とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 21/302 A ,  H01L 21/302 B ,  H01L 21/302 E