不揮発性メモリ及びその読み出し方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野河信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-063867
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267685
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【目的】過剰消去の状態である非選択メモリセルにリーク電流が流れるのを防止すること。【構成】複数個のメモリセルのうち読み出しを行うよう選択される選択メモリセルと同一の第1電極を共通にもつ非選択メモリセルの第1電極に高電位が印加される時は、非選択メモリセルの第1、第2の不純物拡散層の電位を同電位になるようにし、それによって選択メモリセルから読み出しを行う。【効果】過剰消去の状態である非選択メモリセルにリーク電流が流れるのを防止できる。また、コントロールゲートに対してセルフアラインでないためフローティングゲートがコントロールゲートで覆われるためにRccが大きくとれ、低電圧動作に適合する不揮発性メモリを得ることができる。メモリセルの各第1電極がフローティングゲートをもたない分だけメモリセル間を狭くでき、ひいては素子を縮小できる利点を有する。

請求項（抜粋）：

第1,第2の不純物拡散層を有する半導体基板上に形成される第1電極と、その第1電極の側壁に絶縁膜を介して形成されるフローティングゲートと、絶縁膜を介して少なくともフローティングゲート上に配設され、それによってフローティングゲートの電位を制御しうる第2電極とからなるメモリセルを備え、このメモリセルが複数個をX方向、Y方向にマトリックス状に配列され、上記マトリックス状のY方向に配列したメモリセルの第1電極がY方向に共通接続され、上記マトリックス状のX方向に連接された一つのメモリセルの第1の不純物拡散層とこの一つのメモリセルの一方に隣接する一方のメモリセルの第1の不純物拡散層とを共通して設けるとともに、上記一つのメモリセルの第2の不純物拡散層とこの一つのメモリセルの他方に隣接する他方のメモリセルの第2の不純物拡散層とを共通に設けてなり、X方向に配列されたメモリセルの上記各第1の不純物拡散層が導電層によって接続され、更に、第2電極は、上記マトリックス状のY方向に共通接続されてなる不揮発性メモリ。

IPC (5件)：

H01L 29/788 , H01L 29/792 , G11C 16/02 , H01L 27/115 , H01L 27/10 491

FI (3件)：

H01L 29/78 371 , G11C 17/00 307 B , H01L 27/10 434

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