特許

J-GLOBAL ID：200903084330163105

ポリイミド-金属積層体およびその製造方法

発明者： 原田 祐一郎 ,  小山 正人 ,  吉開 正彰 ,  坂井 祥浩 ,  鈴木 彰 ,  中島 明美
出願人/特許権者： 三井化学株式会社
代理人 (1件)： 最上 正太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-069760
公開番号（公開出願番号）：特開平11-268183
出願日： 1998年03月19日
公開日（公表日）： 1999年10月05日
要約：

【要約】【課題】高温の加熱処理を長時間施してもポリイミド基材と金属層が優れた密着性を維持し、半導体技術における高密度配線等のための微細加工が可能であると共に、連続生産にも適したポリイミド-金属積層体を提供する。【解決手段】ポリイミド基材(1)の少なくとも片面に金属酸化物層(2)が形成され、該金属酸化物層(2)の表面に金属層(3)が形成された積層体であって、ポリイミド基材(1)の表面粗度が0.5nm以上、5nm未満、金属酸化物層(2)の厚みが3〜35nmであることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

ポリイミド基材(1)の少なくとも片面に金属酸化物層(2)が形成され、該金属酸化物層(2)の表面に金属層(3)が形成された積層体であって、ポリイミド基材(1)の表面粗度が0.5nm以上、5nm未満、金属酸化物層(2)の厚みが3〜35nmであることを特徴とするポリイミド-金属積層体。

IPC (3件)：

B32B 15/08 ,  C23C 14/08 ,  H05K 3/38

FI (4件)：

B32B 15/08 R ,  B32B 15/08 J ,  C23C 14/08 D ,  H05K 3/38 A