特許
J-GLOBAL ID：200903084331120787

受光素子およびその製造方法

発明者：
松田 賢一

松田 賢一 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-069265
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269539
出願日： 1999年03月15日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：
【要約】【課題】 受光素子の側面方向からの入射光が屈折されて受光領域で受光される側面入射型の受光素子を製造する際に、第2主面と第1主面とを互いに位置合せして加工する必要をなくす。【解決手段】 受光素子の側面方向からの入射光が屈折されて受光領域で受光される受光素子が、第1主面および第2主面を有する半導体基板と、該半導体基板の該第1主面の上に形成された受光領域と、少なくとも該半導体基板に該第1主面を横切って形成された傾斜面と、該半導体基板の該第2主面の上に形成された反射器とを含み、受光素子の側面方向からの入射光が、該半導体基板の外部から該傾斜面を通って該半導体基板内に屈折入射し、該反射器によって反射され、これにより該受光領域に達する。
請求項（抜粋）：
受光素子の側面方向からの入射光が屈折されて受光領域で受光される受光素子であって、第1主面および第2主面を有する半導体基板と、該半導体基板の該第1主面の上に形成された受光領域と、該拡散領域に接触するように配設された負電極と、少なくとも該半導体基板に該第1主面を横切って形成された傾斜面と、該半導体基板の該第2主面の上に形成された反射器とを含み、受光素子の側面方向からの入射光が、該半導体基板の外部から該傾斜面を通って該半導体基板内に屈折入射し、該反射器によって反射され、これにより該受光領域に達する、受光素子。
IPC (2件)：
H01L 31/10 ,  H01L 31/0232
FI (2件)：
H01L 31/10 A ,  H01L 31/02 D
Fターム (23件)：
5F049MA04 ,  5F049MB07 ,  5F049NA08 ,  5F049NA15 ,  5F049PA14 ,  5F049QA01 ,  5F049QA17 ,  5F049QA18 ,  5F049SS04 ,  5F049SS06 ,  5F049SS09 ,  5F049SZ16 ,  5F049WA01 ,  5F088AA03 ,  5F088AB07 ,  5F088BA18 ,  5F088CB14 ,  5F088DA01 ,  5F088DA17 ,  5F088GA05 ,  5F088GA10 ,  5F088JA11 ,  5F088LA01
引用特許：
審査官引用 (4件)
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