特許

J-GLOBAL ID：200903084335816743

高い熱電性能指数を備えたナノ複合材料

発明者： チェン・ガン ,  レン・ジフェン ,  ドレッセルハウス・ミルドレッド
出願人/特許権者： マサチューセッツ・インスティチュート・オブ・テクノロジー(エムアイティー) ,  トラスティーズ・オブ・ボストン・カレッジ
代理人 (3件)： 加藤 公延 ,  田澤 英昭 ,  濱田 初音
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-539271
公開番号（公開出願番号）：特表2008-523579
出願日： 2005年10月31日
公開日（公表日）： 2008年07月03日
要約：

【課題】増強された熱電特性を示すナノ複合材料熱電材料を提供する。【解決手段】ナノ複合材料10は、2つ以上の成分12,14を含み、それらの成分のうちの少なくとも一つの成分が複合材料内のナノサイズの構造を形成する。成分は、複合材料の熱伝導率が複合材料の導電率を実質的に減らすことなく低減されるように、選択されている。適切な成分の材料は、同様の電子バンド構造を示す。例えば、一つの成分の材料の伝導帯または価電子帯の少なくとも一つと、もう一つの成分の材料の対応するバンドと、の間の、これらの成分の間の境界での、バンドエッジギャップは、ほぼ5kBTよりも小さくてよく、ここで、kBはボルツマン定数であり、Tは上記ナノ複合材料組成物の平均温度である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

熱電ナノ複合材料半導体組成物において、 半導体ホスト材料と、 前記ホスト材料内に分散した複数のナノサイズの含有物であって、前記含有物は、半導体含有材料で形成されている、複数のナノサイズの含有物と、 を具備し、 前記ホスト材料および前記含有材料の間の、前記ホスト材料および前記含有材料の境界での、伝導帯のエッジオフセットまたは価電子帯のエッジオフセットが、ほぼ5kBTより小さく、 ここで、kBはボルツマン定数であり、Tは前記ナノ複合材料組成物の平均温度である、熱電ナノ複合材料半導体組成物。

IPC (7件)：

H01L 35/14 ,  H01L 35/34 ,  C22C 1/04 ,  C22C 1/05 ,  B22F 3/14 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00

FI (7件)：

H01L35/14 ,  H01L35/34 ,  C22C1/04 Z ,  C22C1/05 Z ,  B22F3/14 101C ,  B82B1/00 ,  B82B3/00

Fターム (22件)：

4K017AA03 ,  4K017AA04 ,  4K017BA09 ,  4K017BA10 ,  4K017BB16 ,  4K017CA08 ,  4K017DA01 ,  4K017EG01 ,  4K017EH03 ,  4K017EK03 ,  4K017FA02 ,  4K017FB02 ,  4K017FB05 ,  4K017FB07 ,  4K018AA40 ,  4K018AD11 ,  4K018BA20 ,  4K018BB01 ,  4K018BB05 ,  4K018BC21 ,  4K018EA21 ,  4K018GA07

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 熱電変換材料及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-267328   出願人：日本航空電子工業株式会社
• 熱電材料および熱電変換モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-220193   出願人：株式会社東芝