特許

J-GLOBAL ID：200903084335846910

薄膜コンデンサ及びその製造方法

発明者： 堀越 和彦 ,  荒井 利行 ,  岸本 宗久
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 富田 和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-158839
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045475
出願日： 1993年06月29日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：

【要約】【目的】製造時に高温熱処理を必要とする薄膜コンデンサでありながら、誘電体層にクラックや剥離が生じることのない強誘電体薄膜コンデンサの構造を提供する。【構成】基板1上に、下部電極層2、金属酸化物の誘電体層4、上部電極層5が順次積層されたコンデンサにおいて、下部電極層2と誘電体層4との間に、中間層3を配置する。中間層3は、誘電体層4と同元素の金属酸化物で構成され、酸素濃度が電極層2側では低く、誘電体層4側では高くなっている。このコンデンサの製造方法は、誘電体層の形成の初期過程において、まず酸化性ガスを導入せずに形成を開始し、その後徐々に酸化性ガスを導入して形成するものである。【効果】電極-誘電体層間の応力を分散させ、密着性を強化する。このため誘電体の結晶化に必要な高温の熱処理によっても、誘電体層の剥離、クラックを避けることができる。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に順に積層された、下部電極層、誘電体層、上部電極層とを有する薄膜コンデンサにおいて、前記誘電体層は、金属酸化物から構成され、前記下部電極層と誘電体層との間には、金属元素と酸素とを含む中間層が配置されていることを特徴とする薄膜コンデンサ。

IPC (4件)：

H01G 4/33 ,  H01G 4/10 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (3件)：

H01G 4/06 102 ,  H01G 4/10 ,  H01L 27/04 C