特許
J-GLOBAL ID：200903084341986103
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-068839
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283515
出願日： 1993年03月26日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：
【要約】【目的】 段差への埋め込み性能及び平坦性に優れた半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 下地表面を有機化合物を含む処理流体で処理し、次に下地表面をプラズマで処理し、その後絶縁膜を化学気相成長によって形成する。
請求項（抜粋）：
化学気相成長によって半導体装置の絶縁膜を形成するに当たり、下地表面を有機化合物を含む処理流体で処理し、次に、前記下地表面をプラズマで処理し、その後絶縁膜を化学気相成長によって形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/316
, H01L 21/3205
