半導体装置、半導体装置の実装方法、および半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-142113
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335527
出願日： 1997年05月30日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：

【要約】【課題】一括リフローにより容易に実装が行え、実装時の不良を抑制でき、かつ実装信頼性が高く、さらに生産性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】この半導体装置は、バンプを用いて実装基板に実装するものであって、フリップチップ(或いはパッケージ)1の複数の電極パッド2に各々融着された半田バンプ3の間を絶縁体の障壁4により仕切ると共に、障壁4を半田バンプ3と離間させた構造からなる。そして、障壁4の実装基板6と対向する面の一部あるいは全面には熱可塑性の接着層5が形成されている。

請求項（抜粋）：

バンプを用いて実装基板に実装する半導体装置であって、該バンプ間に絶縁体の障壁が前記バンプと離間して配置され、該障壁の前記実装基板と対向する面の全体または一部に熱可塑性の接着層が形成されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/12 , H01L 21/60 311

FI (2件)：

H01L 23/12 L , H01L 21/60 311 S

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